李永乐对可控硅原理的讲解主要包含以下几个核心要点：

一、基本结构

组成与结构

可控硅由四个PN结组成的四层三端半导体器件，通常由两个晶闸管反向连接而成。其结构可类比为两个二极管反向串联，但具有更复杂的控制机制。

命名与符号

- 正向导通的电极称为 阳极（A1/T1），反向导通的称为 阴极（A2/T2），控制极为 G极（G1/T1）。 - 符号表现为两个晶闸管反向并联的图形，与普通二极管符号不同。

二、工作原理

单向可控硅（晶闸管）

- 导通机制：

通过控制极（G极）输入触发脉冲（Ug），使控制极-发射极间形成正向偏置，从而导通阳极-阴极通道。 - 关断特性：导通后需通过降低两端电压或移除负载才能关断。 - 控制角与导通角：控制极触发脉冲的相位决定导通角（θ），进而调节输出电压的平均值。

双向可控硅（TRIAC）

- 双向导通特性：

可控制阳极和阴极两个方向导通，通过改变触发脉冲的相位实现双向控制。 - 结构优势：简化了单向可控硅需要两个独立控制极的结构，但承受电压上升率的能力较弱。

三、主要作用

可控整流

将交流电转换为直流电，通过调节触发脉冲实现输出电压的调节。例如单相半波整流电路中，控制角α决定输出电压的有效值。2. 无触点开关

实现快速导通和关断，适用于高频率开关电路，如电机调速、灯光控制等。3. 逆变功能

将直流电转换为交流电，可调整输出频率，应用于电源适配器、电网调频等场景。

四、关键参数

断态重复峰值电压（V DRM）：

允许在断开状态下重复施加的最大电压。- 断态重复峰值电流（IDRM）：对应V DRM下的最大电流。- 触发电压（Vg）：控制极触发信号所需的电压。 总结

李永乐的讲解通过结构分析、工作原理和实际应用，系统地阐述了可控硅的核心特性。其核心在于通过控制极的触发脉冲实现大电流、高电压的精准控制，且具备无触点开关的效率优势，是电力电子领域的重要基础元件。